簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "化學工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="金氧半場效電晶體"


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    貫穿差排對4H-SiC功率元件漏電效應之探討
    • /109/ 碩士
    • 研究生: 陳廷維 指導教授: 洪儒生
    • 本研究針對碳化矽磊晶層中普遍存在的貫穿差排缺陷對功率元件漏電流的影響進行探討,透過對兩種常見的功率元件-蕭特基二極體(SBD)與金氧半場效電晶體(MOSFET)做為測試對象,以數量級超過數十至百顆的…
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